星辰在半导体领域已经深耕了许久，其技术积累早已非常深厚，涵盖了多个方面。

    与后来夏国在芯片领域遭遇制裁后，所面临的如何绕过国外技术专利的困境不同，如今的最前沿技术几乎都握在星辰手里。

    在芯片制造工艺上，星辰公司早已走在了行业的前列。

    想要达到快速研发7纳米工艺这一目标，其中的捷径道路公司早已掌握，那就是多重曝光技术。

    这种技术能够充分利用已有的光刻设备，通过多次曝光和叠加的方式，实现更精细的电路图案制作。

    制程的缩小实质上就是晶体管尺寸的减小，这同时也意味着量子效应开始逐渐显现。

    当芯片尺寸缩小到几十纳米以下时，量子效应就开始对芯片的性能产生影响。

    在28纳米以上的制程中，这种效应虽然存在，但还不是特别明显。

    然而随着尺寸的进一步缩小，量子效应的影响就变得越来越显着，对芯片的性能和稳定性都提出了更高的挑战。

    孟玉竹等人之所以卡在突破14纳米工艺前的最后一关，原因也在于此。

    江辰的完善正是针对量子效应问题，在设计器件结构上减少问题的出现。

    但接下来芯片尺寸的进一步缩小，量子效应会更加明显，成为了整个团队需要解决的头号问题。

    会议上，孟玉竹正向成员们详细阐述着当前面临的技术难题

    “大家应该也清楚我们之前遇到的难题量子隧穿效应。

    这种效应发生在电子在极其微小的区域中运动时，它们的行为会变得异常诡异。

    电子在这种情况下会违反经典力学，有可能穿入或穿越原本看似不可逾越的势垒，直接从一个区域跳跃到另一个区域。”

    她接着说道

    “董事长之前提出了一系列改动，就是优化器件的结构设计，以期降低电子隧穿的概率，这在14纳米工艺当中很适用。

    不过在研发7纳米工艺节点下，这种方法的有效性我也不确定。”

    “除了优化器件结构这一途径外，我们还考虑过其他常规手段。比如使用屏蔽层来隔离电子或者引入绝缘材料来限制电子的隧穿行为。”

    很快就有成员提出了另一种解决办法。

    但所有人心里都清楚，这些方法都只能在一定程度上起到限制和减少隧穿效应的作用。

    想要彻底根除或解决量子隧穿效应，目前来看还远远无法实现。

    江辰坐在一旁，静静地思考着孟玉竹之前提出的关于量子效应的问题。

    量子效应确实如孟玉竹所说，是一种违反经典力学的现象，但却能在量子力学理论中找到合理的解释。

    想要彻底解决这个问题，最好的途径必然是从量子技术入手。

    孟玉竹他们对量子技术的了解并不深入，但江辰却不同。

    公司最初的芯片技术就是他通过系统兑换来的量子芯片技术。

    而在这其中有一项关键技术如今正好可以派上用场，那就是量子纠错编码技术。

    然而他也明白，这种技术用在碳基芯片上可行，但对于目前主流的硅基芯片来说，他还需要再仔细想想如何应用。

    就在大家集思广益，讨论不休的时候江辰突然开口说道

    “其实，还有一种更好的办法。”

    他的话语刚落所有人都立刻转过头来，用期待的眼神望向他，等待着他继续说下去。

    江辰接着说道

    “7纳米并不是终点，按照硅基芯片的发展趋势来看，未来还会有5纳米、4纳米、3纳米等更高制程的产品出现。

    如果我们仅仅依靠你们之前提到的那两种办法，恐怕到时候依然无法更有效地解决量子效应问题。”

    他顿了顿，然后继续说道

    “所以我建议从现在开始，就应该着手尝试改变晶体管的结构，投入研发一款全新的晶体管结构。

    这样在辅以先进的绝缘层和材料方面下功夫，这样才能尽可能规避掉问题。”

    此言一出，所有人先是一惊但很快就摸透了其中的意味，纷纷开始思考这一提议的可行性。

    有人立刻提道

    “董事长目前公司用的是您研发的鳍式场效应管晶体管结构，也就是外界俗称的FinFEt技术。”

    江辰点了点头，说道

    “当时我研发鳍式场效应管晶体管结构的目的，就是为了应对设定好公司芯片的研发方向。

    在现在7纳米的研发上，这种结构还可以使用，并且表现还不错。”

    孟玉竹立刻接话，眼中闪过一丝惊喜

    “您的意思是，7纳米制程我们只需要对器件结